在制造纳米芯片方面报告了突破

一个国际研究团队报告了制造原子薄处理器的突破 - 这一发现可能对纳米级芯片生产和全球实验室产生深远影响，科学家正在为更小和更快的半导体探索二维材料。

该团队由纽约大学Tandon工程学院化学与生物分子工程教授Elisa Riedo领导，概述了最新一期Nature Electronics的研究成果。

他们证明，使用加热到100摄氏度以上的探头的光刻优于在二维半导体(MoS 2)等二维半导体上制造金属电极的标准方法。这种过渡金属属于科学家认为可能取代原子级小芯片硅的材料。该团队的新制造方法 - 称为热扫描探针光刻(t-SPL) - 与当今的电子束光刻(EBL)相比具有许多优势。

首先，热光刻显着改善了2D晶体管的质量，抵消了肖特基势垒，这阻碍了金属和2D基板交叉处的电子流动。此外，与EBL不同，热光刻技术允许芯片设计人员轻松地对2D半导体成像，然后在需要的地方对电极进行图案化。此外，t-SPL制造系统有望实现显着的初始节省和运营成本：通过在环境条件下运行，无需产生高能电子并产生超高真空，大大降低了功耗。最后，通过使用平行热探针，可以容易地扩大该热制造方法以用于工业生产。

Riedo表示希望t-SPL能够从稀缺的洁净室中进行大部分制造 - 研究人员必须与昂贵的设备争夺时间 - 并进入个别实验室，他们可能会迅速推进材料科学和芯片设计。3D打印机的先例是一个恰当的比喻：有一天，这些t-SPL工具的分辨率低于10纳米，在环境条件下以标准的120伏电源运行，在像她这样的研究实验室中可能会变得无处不在。